Корзина пуста

Регистрация

Главная → Активные компоненты → Транзисторы → Fairchild Semiconductor → SGF5N150UF

SGF5N150UF

IGBT транзистор

Datasheet SGF5N150UF

Характеристики

Структура транзистора N-канальный
Максимальная рассеиваемая мощность, W 60
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, V 1500
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база, V 20
Макcимальный постоянный ток коллектора, A 5
Предельная температура PN-перехода, °C 150
Граничная частота коэффициента передачи тока,MHz 75
Диапазон рабочих температур, °C -55...150
Корпус TO3PF

← 2SD882P

______________

Analog Devices

Digi-Key

Diodes Incorporated HQ

Fairchild Semiconductor

HONGFA

Inchange Semiconductor Company

Infineon Technologies

International Rectifier

Linear Technology

MASTER INSTRUMENT CORPORATION

Maxim Integrated Products

Microchip Technology

Mouser Electronics

National Instruments

NEC

NXP Semiconductor

Sacoh Electronic

Samsung

STMicroelectronics

Texas Instruments

Toshiba

TPS

UNISONIC TECHNOLOGIES CO

Vishay Intertechnology

Новые записи в блоге

24.11.2020 Библиотеки и 3D модели для программы "DipTrace"