Главная
Статьи
Контакты
Корзина пуста
Регистрация
Вход
+380 (93)
5 42 12 88
Главная
→
Активные компоненты
→
Транзисторы
→
Fairchild Semiconductor
→ SGF5N150UF
SGF5N150UF
IGBT транзистор
Datasheet
SGF5N150UF
391
грн.
Характеристики
Структура транзистора
N-канальный
Максимальная рассеиваемая мощность, W
60
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, V
1500
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база, V
20
Макcимальный постоянный ток коллектора, A
5
Предельная температура PN-перехода, °C
150
Граничная частота коэффициента передачи тока,MHz
75
Диапазон рабочих температур, °C
-55...150
Корпус
TO3PF
←
2SD882P
Активные компоненты
Диоды
Микроконтроллеры
Микросхемы
Транзисторы
Оптопары
Пассивные компоненты
Кварцевые резонаторы
Адаптеры
Реле
______________
Новые записи в
блоге
24.11.2020
Библиотеки и 3D модели для программы "DipTrace"