Корзина пуста

Регистрация

Главная → Активные компоненты → Транзисторы → Полевые транзисторы → Infineon Technologies → IPP034NE7N3

IPP034NE7N3

N канальный МОП транзистор

Datasheet IPP034NE7N3

Характеристики

Структура транзистора N-канальный
Максимальное напряжение сток-исток, V 75
Максимальный ток стока, А 100
Сопротивление сток-исток (откр.), Ом 0.035
Максимальная мощность рассеивания, W 214
Допустимое напряжение на затворе, V 20
Ток утечки затвора, uA <0.1
Время включения/выключения, nS 16/40
Время восстановления диода, nS 50
Диапазон рабочих температур, °C -55...175
Аналог 034NE7N3
Корпус TO220

← IRF840 SPB21N50C3 →

______________

Analog Devices

Digi-Key

Diodes Incorporated HQ

Fairchild Semiconductor

HONGFA

Inchange Semiconductor Company

Infineon Technologies

International Rectifier

Linear Technology

MASTER INSTRUMENT CORPORATION

Maxim Integrated Products

Microchip Technology

Mouser Electronics

National Instruments

NEC

NXP Semiconductor

Sacoh Electronic

Samsung

STMicroelectronics

Texas Instruments

Toshiba

TPS

UNISONIC TECHNOLOGIES CO

Vishay Intertechnology

Новые записи в блоге

24.11.2020 Библиотеки и 3D модели для программы "DipTrace"